Al_2O_3/n-Ga_2O_3 MOSダイオード特性評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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Ga_2O_3(010)基板上に作製したAl_2O_3/Ga_2O_3 MOSダイオードにおいて、断面透過型電子顕微鏡観察と容量-電圧測定により、絶縁膜-半導体界面の構造的、電気的解析を行った。プラズマ原子層堆積装置を用いたAl_2O_3形成の初期過程において、厚さ約3nmの多結晶γ-Al_2O_3層が形成することがわかった。この素子の容量-電圧特性は、ヒステリシスを示し、ターマン法による解析により、Al_2O_3/Ga_2O_3界面に密度1.1×10^<12>cm^<-2>の界面準位が存在することが明らかになった。これらの結果は、Al_2O_3/Ga_2O_3界面の多結晶層の形成が、界面準位の形成に大きく寄与していることを示唆している。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-08-01
著者
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
倉又 朗人
タムラ製作所
-
山腰 茂伸
タムラ製作所
-
佐々木 公平
タムラ製作所
-
増井 建和
光波
-
佐々木 公平
タムラ製作所:情報通信研究機構
-
上村 崇史
情報通信研究機構
-
ワン マンホイ
情報通信研究機構
-
ダイワシガマニ キルシナムルティ
情報通信研究機構
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