XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表面バリアハイトについて、X線光電子分光および容量-電圧特性から詳細に評価した。SiNパッシベーションは触媒化学気相堆積法(Cat-CVD)を用いて行ったが、これにより2次元電子ガス(2DEG)濃度は増加することが分かっている。本報告では、Cat-CVDによるSiNパッシベーションによりAlGaN表面バリアハイトの減少が実際に引き起こされ、このことがAlGaN/GaN HFETの2DEG濃度を増加させる大きな要因である可能性があることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
木本 恒暢
京都大学
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
三村 高志
情報通信研究機構
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
小野島 紀夫
NICT
-
須田 淳
京都大学
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構
-
木本 恒暢
京大
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