東脇 正高 | 情報通信研究機構

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概要

• 同名の論文著者
• 情報通信研究機構の論文著者

関連著者

• 東脇 正高

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構

• 松井 敏明

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 東脇 正高

  カリフォルニア大 サンタバーバラ校

• 松井 敏明

  独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ

• 東脇 正高

  独立行政法人情報通信研究機構

• 三村 高志

  (株)富士通研究所

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ

• 小野島 紀夫

  NICT

• 小野島 紀夫

  情報通信研究機構

• 須田 淳

  京都大学工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学工学部電気電子工学科

• 木本 恒暢

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 木本 恒暢

  京都大学

• 三村 高志

  情報通信研究機構

• 須田 淳

  京都大学

• 木本 恒暢

  京大

• 倉又 朗人

  タムラ製作所

• 山腰 茂伸

  タムラ製作所

• 佐々木 公平

  タムラ製作所

• 増井 建和

  光波

• 三村 高志

  富士通研究所

• MISHRA Umesh

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科

• MISHRA Umesh

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• 東脇 正高

  情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター:科学技術振興機構さきがけ:カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• PEI Yi

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• CHU Rongming

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科

• PEI Yi

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科

• 佐々木 公平

  タムラ製作所:情報通信研究機構

• 松井 敏明

  (独)情報通信研究機構

• 松井 敏明

  通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg

• 中村 大

  東工大理工

• サンドゥー アダルシュ

  東工大理工

• CHOWDHURY Srabanti

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• SWENSON Brian

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• 松井 敏明

  独立行政法人 情報通信研究機構

• Chu Rongming

  カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科

• 東脇 正高

  情報通信研究機構 未来ICT研究所

• 東脇 正高

  情報通信研究機構:科学技術振興機構

• 上村 崇史

  情報通信研究機構

• ワン マンホイ

  情報通信研究機構

• ダイワシガマニ キルシナムルティ

  情報通信研究機構

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTを用いた高温用ホール素子に関する研究
• AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• ミリ波GaNトランジスタの研究開発
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
• CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
• 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30GHzパワー特性 : AlGaN障壁層薄層化の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30GHzパワー特性 : AlGaN障壁層薄層化の影響
• 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• Al_2O_3/n-Ga_2O_3 MOSダイオード特性評価(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

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