東脇 正高 | 情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター:科学技術振興機構さきがけ:カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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概要
関連著者
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東脇 正高
情報通信研究機構
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MISHRA Umesh
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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東脇 正高
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター:科学技術振興機構さきがけ:カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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MISHRA Umesh
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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CHOWDHURY Srabanti
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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SWENSON Brian
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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Chu Rongming
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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CHU Rongming
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
著作論文
- AlGaN/GaN HFETの表面バリア高さに対するデバイスプロセス中表面酸化の影響(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30GHzパワー特性 : AlGaN障壁層薄層化の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)