薄層AlGaN障壁層を有するAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの小信号および30GHzパワー特性 : AlGaN障壁層薄層化の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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ミリ波応用を念頭においた、非常に薄いAlGaN障壁層を有する短ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタ(HFET)を作製し、そのデバイス特性を評価した。作製したデバイスは高いDCおよびRF小信号特性を示したにも関わらず、30GHzにおけるパワー特性はあまり良いものでは無かった。また、パルスI-V測定に見られるカレントコラプスの振る舞いは一般的なものとは異なるものであった。これらの結果から、今回観察された非常に薄いAlGaN障壁層を有するGaN HFETの場合に起こる特徴的なデバイス特性の周波数分散は、二次元電子ガスチャネルにおいて高電界中で加速されることにより生成される、ホットエレクトロンによる界面準位へのチャージングが原因であると考えられる。
- 2011-12-07
著者
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
MISHRA Umesh
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
-
東脇 正高
情報通信研究機構新世代ネットワーク研究センター:科学技術振興機構さきがけ:カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
-
Chu Rongming
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
-
PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校電気電子工学科
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CHU Rongming
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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MISHRA Umesh
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
-
PEI Yi
カリフォルニア大学サンタバーバラ校 電気電子工学科
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