単結晶β-Ga_2O_3基板を用いたPt/β-Ga_2O_3ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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概要
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単結晶Ga_2O_3(010)基板を用いてショットキーバリアダイオードを作製した.フローティングゾーンで作製した単結晶Ga_2O_3基板は高い結晶性を有しており,X線ロッキングカーブの半値幅は32秒,エッチピット密度は1×10^4cm^<-2>であった.作製したデバイスはショットキー特性の理想係数がほぼ理想値1.0を示し,電界集中緩和構造を用いていないシンプルなデバイス構造で150V程度の耐圧が得られた.ショットキーバリアハイトを評価した結果,Pt/β-Ga_2O_3界面のバリアハイトは1.3-1.5eVであることがわかった.
- 2012-11-22
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