ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)は、高出力、高耐圧デバイスとして有望であるだけでなく、GaNが比較的高い飽和電子速度を有することから高周波デバイスとしても期待されている。我々は、GaN HFETの高周波特性改善のために、(1)高Al組成極薄障壁層、(2)Cat-CVD SiNパッシベーション、(3)電子線描画によるT型短ゲートの3つの特徴的な手法を用い、ゲート長0.1μm以下の短ゲートHFETにおいてショートチャネル効果を抑制することに成功した。今回、50GHz以上での応用を目指して研究開発を行っている、短ゲートAlGaN/GaNおよびInAlN/GaN HFETのデバイス特性について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
東脇 正高
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
三村 高志
情報通信研究機構
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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