松井 敏明 | 独立行政法人 情報通信研究機構
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概要
関連著者
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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渡邊 一世
情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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李 可人
独立行政法人情報通信研究機構
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栗田 大輔
東京工業大学
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遠藤 聡
情報通信研究機構
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栗田 大輔
東京工業大学:独立行政法人情報通信研究機構
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李 可人
独立行政法人 情報通信研究機構 新世代ワイヤレス研究センター
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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栗田 大輔
東京理科大学
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山下 良美
富士通研究所
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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笠松 章史
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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李 可人
通信総合研究所
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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松井 敏明
通信総合研究所
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歌川 仁史
独立行政法人情報通信研究機構
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遠藤 聡
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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三村 高志
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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北田 貴弘
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)徳島大学
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赤池 正巳
東京理科大学工学部電気工学科
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安井 浩之
武蔵工業大学
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松山 実
武蔵工業大学
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栗田 大輔
独立行政法人情報通信研究機構
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湯 建輝
通信総合研究所無線通信部門
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松井 大樹
武蔵工業大学
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湯 建輝
University College London
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笠松 章史
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
情報通信研究機構
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小野島 紀夫
NICT
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赤池 正己
東京理科大学工学部電気工学科
-
赤池 正巳
東京理科大学工学部
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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川上 彰
情報通信研究機構
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福地 裕
東京理科大学工学部電気工学科
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福地 裕
東京理科大学
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野村 太郎
東京理科大学
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笠松 章史
通信総合研究所
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歌川 仁史
通信総合研究所
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東脇 正高
情報通信研究機構
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野村 太郎
東京理科大学:独立行政法人情報通信研究機構
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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渡邊 一世
NICT
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遠藤 聡
NICT
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山下 良美
NICT
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東脇 正高
NICT
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広瀬 信光
NICT
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広瀬 信光
情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人通信総合研究所
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川上 彰
NICT未来ICT研究所
-
松井 敏明
NICT未来ICT研究所
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笠松 彰史
東京都市大総合研究所
著作論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-71 平行結合型準ミリ波UWBバンドパスフィルタの検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-114 マイクロストリップ-CPWブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- UWBシステムとその装置化における課題
- SA-3-9 UWB アンテナ特性の周波数領域・時間領域測定
- B-1-244 背面給電共平面パッチアンテナ
- C-2-139 複数センサを用いた近距離レーダのための基礎実験(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- C-2-96 近距離レーダを想定した広帯域反射率測定(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ミリ波無線システムの動向と要素技術
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- 拡張された負性抵抗領域を持つメゾスコピック超伝導SNS接合アレー素子のセンサ応用(マイクロ波ミリ波、一般)