小野島 紀夫 | NICT
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概要
関連著者
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小野島 紀夫
NICT
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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松井 敏明
情報通信研究機構
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
情報通信研究機構
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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三村 高志
(株)富士通研究所
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学
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須田 淳
京都大学
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木本 恒暢
京大
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三村 高志
情報通信研究機構
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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三村 高志
富士通研究所
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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笠松 章史
(独)情報通信研究機構
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科
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須田 淳
科学技術事業団さきがけ研究21
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小野島 紀夫
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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渡邊 一世
NICT
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遠藤 聡
NICT
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山下 良美
NICT
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東脇 正高
NICT
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広瀬 信光
NICT
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笠松 章史
情報通信研究機構
-
広瀬 信光
情報通信研究機構
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
著作論文
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価