木本 恒暢 | 京都大学
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概要
関連著者
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木本 恒暢
京都大学工学部電気電子工学科
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木本 恒暢
京都大学
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須田 淳
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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東脇 正高
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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小野島 紀夫
NICT
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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小野島 紀夫
情報通信研究機構
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木本 恒暢
京大
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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三村 高志
情報通信研究機構
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三村 高志
富士通研究所
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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渡辺 直樹
京都大学
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伊藤 利道
大阪大学工学部電気工学科
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宮本 直
京都大学
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木本 恒暢
京都大学工学研究科
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伊藤 利道
大阪大学
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松波 弘之
京都大学 工学研究科
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木本 恒暢
京都大学工学研究科電子工学専攻
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木本 恒暢
京都大学大学院工学研究科
著作論文
- SiC結晶多形のステップ制御成長とステップダイナミクス : 招待講演
- 光電気化学エッチングにより作製した静電駆動単結晶SiCブリッジ構造
- SiCへの高エネルギーAl, Bイオン注入による深い接合の形成
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- ワイドバンドギャップ半導体(2) : SiC/ダイヤモンド(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))