無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ミリ波周波数帯の研究開発は、電波周波数資源拡大の立場から国家的な緊急の課題となっている。近年急速な拡大が進む無線システムの普及は、人々のライフスタイルに於ける大きな変化をもたらし、同時に、数GHz帯以下の周波数帯における電波周波数の逼迫状況が発生し、周波数割り当て政策における緊急の状況を生じさせている。将来に向けた無線周波数の利用拡大の流れに逆らうことは困難な状況にあると考えられる。ミリ波デバイス研究とミリ波実用化のための技術開発は、社会的に要求される課題である。ここでは、ミリ波サブミリ波帯デバイス研究の最近の動向と、今後の無線システムにおけるミリ波の実用化と技術展開の可能性について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-12
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
NICT
-
遠藤 聡
NICT
-
山下 良美
NICT
-
小野島 紀夫
NICT
-
東脇 正高
NICT
-
広瀬 信光
NICT
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
小野島 紀夫
情報通信研究機構
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-71 平行結合型準ミリ波UWBバンドパスフィルタの検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- フォトニックアンテナとその光ファイバ無線通信システムへの応用 (光COE特集)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- B-1-92 共平面パッチアンテナ
- A・P2000-52 / SAT2000-49 / MW2000-52 セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
- セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
- ミリ波サブキャリア光の検波実験
- AlGaN/GaN HEMTを用いた高温用ホール素子に関する研究
- RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- C-2-139 複数センサを用いた近距離レーダのための基礎実験(C-2. マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- C-2-96 近距離レーダを想定した広帯域反射率測定(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般講演)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 界面制御によるSiC基板上AlN成長層の高品質化および新規面方位SiC上へのAlNの成長(AlN結晶成長シンポジウム)
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 薄層AlGaN障壁層を用いたミリ波帯短ゲートAlGaN/GaN HFET(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- CI-1-2 ミリ波帯無線システム技術研究とデバイス技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MIS-HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InAlAs/In_Ga_As系HEMTの極低温下における超高速動作(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 無線システム技術とミリ波デバイス研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- サブ100nmゲートAlGaN/GaN系MIS-HEMTの極低温特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波集積回路開発に向けた超高速InP系HEMTの作製(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波帯動作に向けたSiGe/Si HEMTの研究(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- C-10-2 ロードプル法で評価した量子バリアバラクダの3逓倍波発生特性
- ミリ波帯通信装置及び試験評価技術の研究 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- C-10-18 量子バリアバラクタによる逓倍波の発生
- 超高速InP HEMT-500GHzレベルf_T, f_(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 超高速InP HEMT - 500GHzレベルf_T, f_
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- 極微細ゲートInP系HEMTの超高速化技術
- C-10-6 イオン注入S/Dを用いたサブ100nm SiGe-HEMT
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 超高速InP-HEMTにおけるゲートリセス構造の影響 : 非対称リセス構造の作製と特性評価
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- 微細T型ゲートを有するサブミリ波InP-HEMTの作製 : 微細T型ゲート加工条件の最適化
- ナノゲートIn0.7Ga0.3As/InAs/In0.7Ga0.3AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 (電子デバイス)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- InP系HEMTのデバイス特性における界面平坦性の影響 : (411)A面方位基板による界面ラフネス散乱の抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- ナノゲートトランジスタ--世界最高速InP-HEMT (光COE特集)
- ミリ波GaNトランジスタの研究開発
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- XPSおよびC-V測定による Cat-CVD SiN 保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- CS-9-1 ミリ波帯GaNトランジスタの研究開発(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 超高速トランジスタの研究開発--サブミリ波帯インジウム・リン系HEMT (第99回 独立行政法人化と最新の研究成果)
- 40GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビーム発振器の光制御
- 尖鋭角パッチを用いた平面放射型発振器
- C-2-7 導体共振器を近接配置した平面放射型発振器
- C-2-6 並列2素子HEMT装荷型平面放射型発振器
- C-2-14 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器 : 二次元アレイ
- C-2-13 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器 : 注入同期特性
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器におけるパッチ間隔依存性
- ミリ波無線システムの動向と要素技術
- モバイルSQUID脳磁界計測装置の開発--高温超伝導体磁気シールドとSNS素子を用いて (光COE特集)
- A-5-4 ピコ秒台インパルス同期検討のための送受信機の作製(A-5. ワイドバンドシステム,一般セッション)
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器の相互結合
- 対称扇形パッチを用いた平面放射型発振器
- アクティブ放射型バタフライアンテナ
- 60GHz帯誘電体装荷型ガウシアンビームアンテナ
- 集束媒質を用いたミリ波準光学共振器
- ミリ波サブミリ波帯デバイス技術の研究開発計画と実験施設の概要 (周波数資源の研究開発)
- XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ミリ波半導体デバイス研究計画 (横須賀無線通信研究センター特集) -- (ミリ波デバイス)
- ナノゲートIn_Ga_As/InAs/In_Ga_AsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- セラミック基板を用いたミリ波帯CPWパッチアンテナ
- A-5-5 ピコ秒台インパルス無線の多チャンネル識別機構(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
- InGaAs/InAs/InGaAsコンポジットチャネルHEMTに関するモンテカルロ計算 : 歪みInAsのバンド構造と2次元電子ガスのセルフコンシステント解析の導入(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性 (電子デバイス)
- 地域経済研究における制度論的アプローチの諸潮流と展開 : 現代日本の地域経済政策への示唆を求めて
- 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ED2012-93 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC・RF特性(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CT-1-7 歪みと量子閉じ込め効果を考慮したInP HEMTのモンテカルロ計算(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)