RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
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概要
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RF-MBE法によるサファイア基板上のInN薄膜成長において、サファイア基板上に低温成長GaN中間緩衝層と低温成長InN層からなるバッファー層を導入することにより、InN薄膜の膜質および基板への密着性が大幅に改善されることを発見した。厚さ260nmのInN薄膜の表面RMSラフネス値は3.8nmと非常に平坦であり、室温におけるホール移動度は1420cm^2/V・s、キャリア濃度は1.4×10^<18>cm^<-3>であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-06
著者
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
松井 敏明
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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