ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

概要

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InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300GHz)及びサブミリ波帯(300GHz-3THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信用デバイスとしてだけでなく,ミリ波・サブミリ波帯における未利用周波数開発のキーデバイスとして注目されている.今回,ゲート長35nmのIn_<0.7>Ga_<0.3>As/In_<0.52>Al_<0.48>As系HEMTの周波数90GHzにおける雑音特性を評価した結果,最小雑音指数NF_<min>=0.8dB,利得G_a=5.7dBをドレイン電圧V_<ds>=0.8V,ゲート電圧V_<gs>=-0.1Vにて達成した.更に,遮断周波数f_T=520GHz及び最大発振周波数f_<max>=425GHzが得られるバイアス条件(V_<ds>=0.8V,V_<gs>=0.0V)ではNF_<min>=1.0dBとなり,f_Tが500GHzを超えるInP系HEMTにおいて高速・高周波特性と低雑音特性を同時に実現できることを初めて確認した.
社団法人電子情報通信学会の論文
2009-01-07