ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)はミリ波帯(30-300GHz)及びサブミリ波帯(300GHz-3THz)で動作可能で,将来の超高速無線通信用デバイスとしてだけでなく,ミリ波・サブミリ波帯における未利用周波数開発のキーデバイスとして注目されている.今回,ゲート長35nmのIn_<0.7>Ga_<0.3>As/In_<0.52>Al_<0.48>As系HEMTの周波数90GHzにおける雑音特性を評価した結果,最小雑音指数NF_<min>=0.8dB,利得G_a=5.7dBをドレイン電圧V_<ds>=0.8V,ゲート電圧V_<gs>=-0.1Vにて達成した.更に,遮断周波数f_T=520GHz及び最大発振周波数f_<max>=425GHzが得られるバイアス条件(V_<ds>=0.8V,V_<gs>=0.0V)ではNF_<min>=1.0dBとなり,f_Tが500GHzを超えるInP系HEMTにおいて高速・高周波特性と低雑音特性を同時に実現できることを初めて確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-07
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
関連論文
- 4.ナノスケールInGaAs/InAlAs系HEMTを用いた低雑音・高利得ミリ波帯MMIC(最新のミリ波技術の動向)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-2-71 平行結合型準ミリ波UWBバンドパスフィルタの検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- リフトオフ法を用いたミリ波薄膜回路部品の精密加工
- A-5-13 UWBパルス信号の無線LANに対する影響の検討(A-5.ワイドバンドシステム,一般講演)
- UWBバンドパスフィルタを用いたUWBパルス発生と整形(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- ブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
- C-2-113 Dual-Band超広帯域バンドパスフィルタ(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)