量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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InSbの歪みバンド構造を計算し,量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した.またInAs HEMTと比較した.チャネルに加わる圧縮歪みはInSbチャネルの電子の有効質量を増加させたが,InSb HEMTはInAs HEMTと比べて低いドレイン電圧V_<ds>から高い電流駆動能力と高いf_Tを示した.一方圧縮歪みは衝突電離スレッショルドエネルギーE_<th>を上昇させたが,低いV_<ds>から衝突電離が発生した.これによりInSb HEMTは電流駆動能力とf_Tが高いが,低いV_<ds>での使用に制限されることを示した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-19
著者
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
藤代 博記
東京理科大学
-
佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
永井 佑太郎
東京理科大学
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
-
佐藤 純
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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