InGaAs-Channel MOSFETのキャリア輸送に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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ポストSi MOSFETとして,Siよりも有効質量が小さく高い電子移動度を示すIII-V族化合物半導体をチャネル材料を用いたデバイスが検討されている.本稿では,量子補正モンテカルロ法を用いて,InGaAsをチャネル材料に用いたMOSFET(InGaAs-channel MOSFET)の電子輸送現象が駆動電流におよぼす影響を理論的に解析し,バリスティック限界の見積もりを行った.
- 2010-06-10
著者
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
本間 嵩広
東京理科大学
-
渡邉 久臣
東京理科大学
-
原 伸介
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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