歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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InAsやInSb等のナローギャップ化合物半導体をチャネルに用いたデバイスは,テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして注目を集めている.これらのチャネルには基層との格子定数の違いにより2軸性の歪みが加わる.今回,格子歪みがInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に与える影響を理論的に解析したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
西野 啓之
東京理科大学
-
川平 一太
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
原 紳介
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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