26pPSA-24 STMとDFT計算を用いたMoO_2(010)/Mo(110)櫛状構造の形成に関する考察(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
SPM最先端研究の現状と可能性 : 有機バイオ分野を中心にして
-
グラファイト基板上へのカーボンナノ構造の成長
-
Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
-
走査型トンネル顕微鏡によるBa/Si(100)の成長過程の観察
-
30pYQ-6 グラファイト上の多層ナノチューブの原子ギアロックによる転がり
-
25aTA-1 グラファイト上の多層ナノチューブの配向と高分解摩擦力像
-
25aT-12 走査型水素検出顕微鏡による水素の2次元分布測定
-
25aT-1 C_、C_薄膜の摩擦力像の異方性
-
24aPS-60 Phを媒介とするAgナノ構造の形成と制御
-
23pW-7 ナノロープの滑りと摩擦力像
-
26aPS-54 C_、C_ナノチューブのナノ摩擦
-
シリコン材料におけるSTM
-
29a-PS-8 Sn吸着によるSi(110)面の凹凸周期構造の変調
-
走査型水素検出顕微鏡の開発とその応用
-
31p-YF-13 Si(110)清浄表面 : "16構造"の原子配列のSTM観察
-
31a-PS-15 Si(110)表面原子配列への微量ニッケルの及ぼす影響
-
8p-B-12 TOF-ESDによる固体表面上の水素の二次元局所分析
-
8a-H-12 Sn/Si(110)の被覆率依存性のSTM観察
-
29a-PS-53 TOF-ESDとFTIRのその場観察による金属表面へのCOの吸着
-
2p-K-2 有機伝導体(BEDT-TTF)_2X(X=I_3,KHg(SCN)_4,(NH_4)Hg(SCN)_4)表面のSTM観察
-
29a-PS-51 スズ吸着Si(111)表面局所構造と水素照射効果
-
C-10-5 歪み印加時のInAsとInSbの高電界輸送特性に関する理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
2p-K-1 有機超伝導体(BEDT-TTF)_2Cu(NCS)_2表面のSTMによる研究
-
C-10-15 InGaAs MOSFETの駆動電流に及ぼす電子後方散乱の理論的解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
30p-BPS-8 グラファイト上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
-
3a-K-1 マイカ上に真空蒸着したTTF-TCNQ表面のSTM観察
-
C-10-7 InGaAs-Channel MOSFETの電子輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
歪み印加時のInAsとInSbのバンド構造と電子輸送特性に関する理論的解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
C-10-9 InAs HEMTの擬似バリスティック輸送に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
C-10-18 InGaAs-HEMTの遮断周波数の性能限界に関する理論的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
29p-ZF-3 STMによる有機導電体薄膜の観察
-
31a-TA-3 LEEDによるAl/Si(100)表面の研究
-
6p-T-1 時間分解型LEED装置の製作
-
5p-T-10 In/Si(111)の等温、昇温脱離
-
5p-T-6 LEEDによるSi(111)√×√-Alの構造解析
-
27a-ZS-3 Si(111)√x√-A1のテンソルLEEDによる構造解析
-
30p-BPS-21 Al、In/si(100)のLEEDによる研究
-
30a-ZD-6 テンソルLEEDによるAl/Si(111)表面超構造の研究
-
第4回走査型トンネル顕微鏡/電子分光国際会議
-
29a-PF-47 TOF-ESDによる金属表面上の水素原子の挙動
-
30a-ZD-3 Si(111)?×?-AgのLEEDによる研究
-
C-10-3 InAs HEMTの歪み効果に関する理論的研究(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
Si(001)c(4×4)-Snの走査トンネル顕微鏡 : 同軸型直衝突イオン散乱分光法による解析
-
量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
C-10-4 モンテカルロ法による傾斜field-plate構造AlGaN/GaN HEMTの遅延時間解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
-
Si(001)表面上前駆Gaクラスター構造の研究
-
C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
-
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
-
26pPSA-24 STMとDFT計算を用いたMoO_2(010)/Mo(110)櫛状構造の形成に関する考察(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
-
量子補正モンテカルロ法による歪み InSb HEMTの遅延時間解析
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク