C-10-3 InGaAs DG-MOSFETの駆動電流に及ぼすソース/ドレイン拡張領域の影響の解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2012-08-28
著者
-
藤代 博記
東京理科大学
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
-
西田 明央
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
-
長谷川 慶
東京理科大学基礎工学部研究科電子応用工学専攻
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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