量子補正モンテカルロ法による歪みInAs HEMTの解析(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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テラヘルツ応用やポストSi CMOS等の次世代デバイスとして,高い電子移動度を示すInAsをチャネルに用いたデバイスが注目されている.InAsチャネルには基層との格子定数の違いにより,2軸性の歪みが加わる.本稿では,量子補正モンテカルロ法を用いて,チャネル層に加わる格子歪みがInAs HEMTのデバイス特性に与える影響を解析したので報告する.
- 2011-07-22
著者
-
町田 史晴
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
原 紳介
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学研究科電子応用工学専攻
-
藤代 博記
東京理科大学
-
佐藤 純
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
藤代 博記
東京理科大学基礎工学部電子応用工学科
-
原 紳介
東京理科大学
-
佐藤 純
東京理科大学
-
原 紳介
東京理科大基礎工
-
藤代 博記
東京理科大学大学院
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