60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlGaN/GaN系高電子移動度トランジスタ(HEMT)は高出力・高耐圧特性に優れるだけでなくミリ波帯(30-300GHz)で動作可能で,将来の超高速・大容量・長距離無線通信用デバイスとして期待されている.今回,AlGaN/GaN系HEMTの60GHz帯における入出力特性を評価した.入出力特性評価に用いた微細ゲートAlGaN/GaN系HEMTは,(0001)面方位SiC基板上にMOCVD法により成長したAl_<0.21>Ga_<0.79>N(18nm)/GaN(2μm)を用いて作製され,更に三層絶縁膜SiN/SiO_2/SiNを有するMIS型HEMTである.ゲート長35nm,ゲート幅50μmのAlGaN/GaN系MIS-HEMTにおいて,出力電力密度1.07W/mm(出力電力17.3dBm)を周波数60GHzで達成した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
-
広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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