三村 高志 | 独立行政法人情報通信研究機構
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概要
関連著者
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
独立行政法人情報通信研究機構
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
(独)情報通信研究機構
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構
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渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構
著作論文
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製 (電子デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高周波・高出力AlGaN/GaN系HEMTの作製(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 60GHz帯におけるAlGaN/GaN系HEMTの出力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ミリ波集積回路用InP系HEMTの高周波・低雑音特性(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)