モンテカルロ計算によるナノゲートInP HEMT中の電子輸送に対するゲートリセス構造の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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InP系HEMTのミリ波・テラヘルツ波帯動作を実現するためには,主にゲート長L_gの短縮,及び短チャネル効果を抑制するためのゲート・チャネル間距離dの短縮が必要である.このうちdの短縮においては,ゲートリセス構造の形成が重要な技術となる.本研究においては,50nmゲートIn_<0.52>Al_<0.48>As/In_<0.53>Ga_<0.47>As格子整合系HEMTに関するモンテカルロシミュレーションを行い,ゲートリセス構造による電子輸送の変化を調べた.リセス深さd_<re>一定の条件下で横方向リセス長さl_<re>を短縮すると,ゲート電極下のチャネル層中の電子速度は増大する.また,l_<re>一定の条件下では,d_<re>を大きくするとチャネル層中の電子速度は増大する.電子速度が増大するのは,ゲート電極下近傍のInGaAsチャネル層中の横方向ポテンシャルがより急峻になるためである.
- 2009-11-22
著者
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
渡邊 一世
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
(独)情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
遠藤 聡
情報通信研究機構
-
渡邊 一世
情報通信研究機構
-
三村 高志
情報通信研究機構
-
松井 敏明
独立行政法人 情報通信研究機構
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