東脇 正高 | 通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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概要
関連著者
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松井 敏明
通信総合研究所
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東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
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東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
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東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
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松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
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広瀬 信光
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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李 可人
(独)情報通信研究機構
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李 可人
通信総合研究所
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清川 雅博
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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篠原 啓介
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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村田 正望
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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安田 浩朗
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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広瀬 信光
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
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篠原 啓介
情報通信研究機構
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篠原 啓介
情報通信研究機構:(現)hrl Laboratories Llc
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篠原 啓介
通信総合研究所
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遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
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三村 高志
(株)富士通研究所
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松井 敏明
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスg
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池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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池田 圭司
富士通研究所
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遠藤 聡
富士通研究所
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山下 良美
富士通研究所
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彦坂 康己
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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三村 高志
富士通研究所
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
著作論文
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RF-MBE法によるサファイア基板上の高品質InN薄膜成長 : 低温成長InN/GaNバッファー層の効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- ミリ波通信システムの技術動向と要素技術
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)