池田 圭司 | 富士通研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
-
池田 圭司
富士通研究所
-
杉井 寿博
(株)富士通研究所
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
池田 圭司
(株)富士通研究所
-
大田 裕之
富士通研究所
-
福留 秀暢
富士通研究所
-
岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
-
佐藤 成生
富士通研究所
-
杉井 寿博
富士通研究所
-
岡部 堅一
富士通株式会社
-
田島 貢
富士通株式会社
-
大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
-
佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
-
松井 敏明
独立行政法人情報通信研究機構先端ictデバイスグループ
-
遠藤 聡
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
山下 良美
独立行政法人情報通信研究機構先端ICTデバイスグループ
-
三村 高志
(株)富士通研究所
-
松井 敏明
通信総合研究所
-
東脇 正高
通信総合研究所 無線通信部門 ミリ波デバイスG
-
池田 圭司
半導体MIRAIプロジェクト, 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(MIRAI-ASET)
-
保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
-
田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
保坂 公彦
富士通研究所
-
籾山 陽一
富士通研究所
-
遠藤 聡
富士通研究所
-
山下 良美
富士通研究所
-
彦坂 康己
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
三村 高志
富士通研究所
-
冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
-
松井 敏明
情報通信研究機構ミリ波デバイスグループ
-
東脇 正高
独立行政法人情報通信研究機構
-
籾山 陽一
富士通(株)
-
東脇 正高
カリフォルニア大 サンタバーバラ校
-
畑田 明良
富士通(株)
-
森 年史
富士通(株)
-
助川 和雄
(株)富士通研究所
-
田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所
-
助川 和雄
富士通株式会社
-
大越 克明
富士通株式会社
-
森 年史
富士通株式会社
-
助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
-
畑田 明良
富士通
-
岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
-
大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細ゲートGaN系HEMTの作製とそのショットキー特性の改善(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)