杉井 寿博 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

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概要

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• 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社の論文著者

関連著者

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 杉井 寿博

  (株)富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 籾山 陽一

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 籾山 陽一

  富士通(株)

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 佐藤 成生

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 森 年史

  富士通株式会社

• 大田 裕之

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  (株)富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通株式会社

• 田島 貢

  富士通株式会社

• 加勢 正隆

  富士通株式会社

• 加瀬 正隆

  富士通

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 児島 学

  富士通

• 後藤 賢一

  富士通株式会社 次世代lsi開発事業部

• 助川 和雄

  (株)富士通研究所

• 後藤 賢一

  (株)富士通研究所

• 保坂 公彦

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 池田 圭司

  半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)

• 籾山 陽一

  富士通研究所

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  (株)富士通研究所

• 田村 直義

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 杉井 寿博

  富士通

• 金 永ソク

  (株)富士通研究所

• 島宗 洋介

  (株)富士通研究所

• 早見 由香

  (株)富士通研究所

• 森岡 博

  富士通(株)

• 森 年史

  富士通(株)

• 橋本 浩一

  富士通(株)

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 大田 裕之

  富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 岡部 堅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 池田 圭司

  富士通研究所

• 金永 ソク

  (株)富士通研究所

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 落水 洋聡

  (株)富士通研究所

• 南方 浩志

  (株)富士通研究所

• 大越 克明

  富士通株式会社

• 福田 真大

  富士通株式会社

• 森岡 博

  富士通株式会社

• 籾山 陽一

  (株)富士通研究所

• 山本 智彦

  富士通株式会社

• 畑田 明良

  富士通(株)

• 小倉 輝

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田村 直義

  富士通研究所

• 二木 俊郎

  株式会社富士通研究所

• 池田 和人

  富士通研究所

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 加勢 正隆

  富士通(株)ULSI開発部

• 堀 陽子

  富士通クオリティ・ラボ株式会社

• 田島 貢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 保坂 公彦

  富士通研究所

• 宮下 俊彦

  (株)富士通研究所

• 山本 知成

  (株)富士通研究所

• 迫田 恒久

  (株)富士通研究所

• 久保 智裕

  富士通株式会社

• 大和田 保

  富士通株式会社

• 池田 和人

  (株)富士通研究所

• ピディン S.

  富士通

• 稲垣 聡

  富士通

• 堀 充明

  富士通

• 大田 裕之

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 籾山 陽一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 小倉 輝

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 稲垣 聡

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 田村 直義

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 堀 充明

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 杉井 寿博

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 工藤 寛

  富士通研究所

• 筑根 敦弘

  富士通研究所

• 二木 俊郎

  富士通研究所

• 井上 淳樹

  (株)富士通研究所

• 田川 幸雄

  富士通株式会社

• 立岡 真人

  (株)富士通研究所

• 畑田 明良

  富士通

• 筑根 敦弘

  (株)富士通

• 廣瀬 達哉

  株式会社富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  (株)富士通研究所

• 小倉 寿典

  富士通(株)

• 福田 真大

  富士通(株)

• 片上 朗

  (株)富士通研究所

• 川村 和郎

  富士通(株)

• 大田 裕之

  (株)富士通研究所

• 佐久間 崇

  (株)富士通研究所

• 南 孝宜

  富士通(株)

• 田村 直義

  (株)富士通研究所

• 児島 学

  富士通(株)

• 宮嶋 基守

  富士通(株)

• 佐藤 成生

  (株)富士通研究所

• 大田 裕之

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 田島 貢

  富士通、あきる野テクノロジセンター

• 河野 隆宏

  富士通(株)

• 北田 秀樹

  富士通研究所

• 清水 紀嘉

  富士通研究所

• 中村 友二

  富士通研究所

• 橋本 浩一

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 渡邊 祐

  (株)富士通研究所

• 廣瀬 達哉

  株式会社 富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社 富士通研究所

• 渡邊 祐

  株式会社富士通研究所

• 松尾 二郎

  京都大学工学研究科附属量子理工学研究実験センター

• 佐藤 嘉洋

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 松尾 二郎

  京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター

• 瀬木 利夫

  京都大学 大学院工学研究科 原子核工学専攻

• 青木 学聡

  京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻

• 山田 公

  京都大学工学部附属イオン工学実験施設

• 草場 拓也

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 瀬木 利夫

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 青木 学聡

  京都大学工学研究科付属イオン工学実験施設

• 助川 和雄

  富士通研究所、あきる野テクノロジセンター

• 杉山 芳弘

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 田川 幸雄

  富士通

• 田川 幸雄

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 橋本 浩一

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 児島 学

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 加納 英樹

  株式会社 富士通研究所 フォトエレクトロニクス研究所

• 大場 隆之

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究科総合研究機構

• 中村 友二

  (株)富士通研究所

• 山田 公

  京大

• 吉田 英司

  富士通研究所

• 羽根田 雅希

  富士通研究所

• 落水 洋聡

  富士通研究所

• 岡野 俊一

  富士通研究所

• 大塚 信幸

  富士通研究所

• 砂山 理江

  富士通研究所

• 鈴木 貴志

  富士通研究所

• 田平 貴裕

  富士通研究所

• 酒井 久弥

  富士通

• 天利 聡

  富士通

• 松山 英也

  富士通

• 大場 隆之

  東京大学

• 橋本 浩一

  富士通

• 水島 賢子

  株式会社富士通研究所

• 宮本 真人

  富士通

• 斎木 孝志

  富士通

• 籾山 陽一

  株式会社 富士通研究所

• 小杉 真人

  株式会社 富士通研究所

• 杉井 寿博

  株式会社 富士通研究所

• 中石 雅文

  富士通(株)

• 中田 義弘

  株式会社富士通研究所

• 射場 義久

  富士通株式会社

• 鈴木 邦広

  富士通研究所

• 鈴木 邦広

  (株)富士通研究所

• 鈴木 貴志

  株式会社 富士通研究所

• 渡辺 祐

  富士通研

• 青木 正樹

  富士通研究所 メモリデバイス研究部

• 渡邊 祐

  富士通(株)

• 南方 浩志

  富士通研究所

• 佐藤 章

  (株)富士通研究所

• 戸坂 義春

  富士通研究所

• 加納 英樹

  株式会社富士通研究所

• 青木 正樹

  富士通研究所 シリコンテクノロジ開発研究所

• 青木 正樹

  富士通株式会社ソフトウェア事業本部

• 加勢 正隆

  富士通

• 青木 学聡

  クラスターイオンビーム集中研究体

• 射場 義久

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 石川 健治

  富士通研究所

• 石川 健治

  富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部

• 佐藤 嘉洋

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 尾崎 史朗

  富士通研究所

• 中田 義弘

  富士通研究所

• 中石 雅文

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 秋山 深一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 水島 賢子

  富士通研究所

• 林 雅一

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 河野 隆宏

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 岩田 浩

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 酒井 久弥

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 天利 聡

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 青木 正樹

  富士通研究所

• 山田 公

  京都大学

• 杉山 芳弘

  富士通研究所

• 水島 賢子

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 北田 秀樹

  東京大学大学院工学系研究化総合研究機構

• 岡部 堅一

  富士通セミコンダクター株式会社

• 大越 克明

  富士通セミコンダクター株式会社

• 後藤 賢一

  富士通

• 田村 直義

  富士通セミコンダクター株式会社

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著作論文

• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• プロセス最適化によるSiGeソース・ドレインPMOSFETの性能向上
• Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• デカボランイオン注入による損傷の形成とその増速拡散への影響
• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
• 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
• 65nmノード用高性能25nm CMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
• ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
• メタルオーバーゲート構造を用いた低電力・高周波SOI-DTMOS
• 高傾斜角インジウム注入技術を用いるサブ100nm nMOSFETのチャネル制御技術〔含 英文〕 (新しい地球環境と豊かなネットワーク社会を生み出す半導体技術) -- (セッション8 先端デバイス技術--限りなき微細化・高機能化への挑戦)
• サブ0.1μmCMOS技術 (特集 21世紀に向けた研究開発)
• 微細MOSデバイスにおけるオーバーラップ容量の影響
• 低Vth設計・低電圧動作によるCMOSデバイスの低消費電力化
• Tox,VdスケーリングによるCMOSデバイスの低消費電力化
• 窒化酸化膜緩衝層を用いた改良LOCOS (ON-LOCOS) 素子分離技術
• Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作
• 高濃度チャネルとカウンタドープを用いたサブ0.1μmSOI-MOSFET
• ダブルゲートSOI-MOSFETのスケーリング理論に基づく伝搬遅延時間の解析
• 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上
• 不揮発性メモリ・ユニポーラ型ReRAMの90nm世代における回路動作の提案

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