杉井 寿博 | 富士通研究所 デバイス開発部
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概要
関連著者
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杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
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杉井 寿博
富士通研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス
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杉井 寿博
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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籾山 陽一
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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籾山 陽一
富士通(株)
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中村 友二
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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池田 圭司
(株)富士通研究所
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池田 圭司
半導体miraiプロジェクト 技術研究組合 超先端電子技術開発機構(mirai-aset)
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大田 裕之
富士通研究所
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福留 秀暢
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通マイクロエレクトロニクス
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池田 圭司
富士通研究所
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岡部 堅一
富士通株式会社
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田島 貢
富士通株式会社
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大田 裕之
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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中村 友二
富士通研究所 デバイス開発部
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福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
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山崎 辰也
富士通・半導体プロセス開発部
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二木 俊郎
株式会社富士通研究所
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山崎 辰也
(株)富士通研究所
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保坂 公彦
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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川村 和郎
富士通マイクロエレクトロニクス
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田島 貢
富士通マイクロエレクトロニクス
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保坂 公彦
富士通研究所
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筑根 敦弘
(株)富士通研究所
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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工藤 寛
富士通研究所
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筑根 敦弘
富士通研究所
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二木 俊郎
富士通研究所
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入野 清
富士通研究所
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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ピディン セルゲイ
富士通研究所 デバイス開発部
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森崎 祐輔
富士通研究所 デバイス開発部
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入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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山崎 辰也
富士通研究所
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杉井 寿博
富士通
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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児島 学
富士通
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後藤 賢一
富士通株式会社 次世代lsi開発事業部
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畑田 明良
富士通(株)
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森 年史
富士通(株)
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助川 和雄
(株)富士通研究所
-
田島 貢
富士通、あきる野テクノロジセンター
-
田村 直義
富士通研究所
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河野 隆宏
富士通(株)
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北田 秀樹
富士通研究所
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清水 紀嘉
富士通研究所
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助川 和雄
富士通株式会社
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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後藤 賢一
(株)富士通研究所
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落水 洋聡
(株)富士通研究所
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南方 浩志
(株)富士通研究所
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大越 克明
富士通株式会社
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森 年史
富士通株式会社
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助川 和雄
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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大場 隆之
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究科総合研究機構
-
中村 友二
(株)富士通研究所
-
吉田 英司
富士通研究所
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奈良 安雄
富士通研究所
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羽根田 雅希
富士通研究所
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落水 洋聡
富士通研究所
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岡野 俊一
富士通研究所
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大塚 信幸
富士通研究所
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砂山 理江
富士通研究所
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鈴木 貴志
富士通研究所
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田平 貴裕
富士通研究所
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酒井 久弥
富士通
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天利 聡
富士通
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松山 英也
富士通
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大場 隆之
東京大学
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田村 直義
富士通研究所、あきる野テクノロジセンター
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伊藤 隆司
(株)富士通研究所
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水島 賢子
株式会社富士通研究所
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宮本 真人
富士通
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斎木 孝志
富士通
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中石 雅文
富士通(株)
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伊藤 隆司
富士通研究所
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青山 敬幸
富士通研究所
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中田 義弘
株式会社富士通研究所
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射場 義久
富士通株式会社
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鈴木 邦広
富士通研究所
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鈴木 貴志
株式会社 富士通研究所
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伊藤 隆司
東京工業大学ソリューション研究機構:広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所
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南方 浩志
富士通研究所
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出浦 学
富士通研究所
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後藤 賢一
富士通研究所
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深野 哲
富士通研究所
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戸坂 義春
富士通研究所
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畑田 明良
富士通
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深野 哲
富士通研究所、ulsiプロセス研究部
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射場 義久
富士通マイクロエレクトロニクス
-
石川 健治
富士通研究所
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石川 健治
富士通研究所(株)ファブテクノロジ研究部
-
青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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尾崎 史朗
富士通研究所
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中田 義弘
富士通研究所
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中石 雅文
富士通マイクロエレクトロニクス
-
秋山 深一
富士通マイクロエレクトロニクス
-
水島 賢子
富士通研究所
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林 雅一
富士通マイクロエレクトロニクス
-
河野 隆宏
富士通マイクロエレクトロニクス
-
岩田 浩
富士通マイクロエレクトロニクス
-
酒井 久弥
富士通マイクロエレクトロニクス
-
天利 聡
富士通マイクロエレクトロニクス
-
水島 賢子
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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奈良 安雄
(株)富士通研究所
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北田 秀樹
東京大学大学院工学系研究化総合研究機構
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岡部 堅一
富士通セミコンダクター株式会社
-
大越 克明
富士通セミコンダクター株式会社
著作論文
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 32nm世代以降の高信頼多層配線に向けた超薄膜バリア技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
- 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
- インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
- 極薄Si直接窒化・酸化ゲート絶縁膜の評価
- Ta_2O_5/SiO_2をゲート絶縁膜に用いた微細nMOSFETの試作
- ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討
- ダブルゲートSOI-MOSFETのスケーリング理論に基づく伝搬遅延時間の解析
- サブ100nm世代のトランジスタと多層配線技術 (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- 有機酸ドライクリーニングによるコンタクトビア形成による歩留まり・信頼性の向上