中村 友二 | 富士通研究所 デバイス開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• 富士通研究所 デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 入野 清

  富士通研究所

• ピディン セルゲイ

  富士通(株)次世代lsi開発事業部

• ピディン セルゲイ

  富士通研究所 デバイス開発部

• 森崎 祐輔

  富士通研究所 デバイス開発部

• 入野 清

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

著作論文

• 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
• 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
• サブ100nm世代のトランジスタと多層配線技術 (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)

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