入野 清 | 富士通研究所

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概要

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• 富士通研究所の論文著者

関連著者

• 入野 清

  富士通研究所

• 中村 友二

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• ピディン セルゲイ

  富士通(株)次世代lsi開発事業部

• ピディン セルゲイ

  富士通研究所 デバイス開発部

• 森崎 祐輔

  富士通研究所 デバイス開発部

• 入野 清

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所 デバイス開発部

• 福田 哲生

  富士通(株)

• 東 雅彦

  富士通(株)

• 中西 俊郎

  富士通研究所

• 滋野 真弓

  株式会社富士通研究所

• 田村 泰之

  富士通研究所

• 大久保 聡

  富士通研究所

• 滋野 真弓

  富士通研究所

• 日数谷 健一

  富士通(株)

• 高崎 金剛

  富士通研究所

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著作論文

• 酸窒化技術を使った高性能・高信頼の Deep Sub-micron CMOS-FET
• 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
• 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET

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