中西 俊郎 | 富士通研究所

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概要

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関連著者

• 中西 俊郎

  富士通研究所

• 田村 泰之

  富士通研究所

• 大久保 聡

  富士通研究所

• 高崎 金剛

  富士通研究所

• 井上 文彦

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 井上 文彦

  富士通

• 田中 正幸

  東芝

• 田中 正幸

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 須黒 恭一

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 児島 学

  富士通研究所

• 齋田 繁彦

  東芝

• 須黒 恭一

  (株)東芝ulsi研究所

• 須黒 恭一

  東芝

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 金井 直樹

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 福田 哲生

  富士通(株)

• 助川 和雄

  富士通株式会社

• 助川 和雄

  富士通

• 渡辺 孔

  富士通(株)ULSI開発部

• 東 雅彦

  富士通(株)

• 斎田 繁彦

  東芝

• 滋野 真弓

  株式会社富士通研究所

• 入野 清

  富士通研究所

• 滋野 真弓

  富士通研究所

• 日数谷 健一

  富士通(株)

• 鷹尾 泰弘

  富士通

• 大久保 聡

  (株)富士通研究所

• 田村 泰之

  (株)富士通研究所

• 杉野 林志

  (株)富士通研究所

• 中西 俊郎

  (株)富士通研究所

• 高崎 金剛

  (株)富士通研究所

• 渡辺 孔

  富士通

• 杉野 林志

  スパンション株式会社:東北大学大学院工学研究科

• 杉野 林志

  富士通研

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著作論文

• テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
• テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
• 酸窒化技術を使った高性能・高信頼の Deep Sub-micron CMOS-FET
• サイドウォールNOアニールによる0.18μmCMOSの信頼性向上
• 自然酸化膜をUV/O_3処理することによる薄いゲート酸化膜の高品質化

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