田中 正幸 | 株式会社東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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田中 正幸
東芝
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田中 正幸
株式会社東芝セミコンダクター社
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井上 文彦
富士通プロセス開発部第1開発部
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井上 文彦
富士通
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中西 俊郎
富士通研究所
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須黒 恭一
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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児島 学
富士通研究所
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齋田 繁彦
東芝
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須黒 恭一
(株)東芝ulsi研究所
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須黒 恭一
東芝
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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金井 直樹
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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石井 賢
株式会社東芝セミコンダクター社
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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宮下 俊彦
(株)富士通研究所
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赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉田 英司
富士通研究所
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宮下 俊彦
富士通研究所
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新田 博行
株式会社東芝セミコンダクター社
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chou P.H.
Winbond electronics corp.
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橋本 浩一
富士通研究所
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田中 徹
富士通研究所
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奈良 安雄
富士通研究所
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斎田 繁彦
東芝
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橋本 浩一
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
著作論文
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現