ピディン セルゲイ | 富士通研究所 デバイス開発部

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概要

• 同名の論文著者
• 富士通研究所 デバイス開発部の論文著者

関連著者

• 中村 友二

  富士通研究所

• 杉井 寿博

  富士通研究所

• ピディン S.

  富士通株式会社 次世代LSI開発事業部

• 入野 清

  富士通研究所

• ピディン セルゲイ

  富士通(株)次世代lsi開発事業部

• ピディン セルゲイ

  富士通研究所 デバイス開発部

• 森崎 祐輔

  富士通研究所 デバイス開発部

• 入野 清

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 杉井 寿博

  富士通研究所 デバイス開発部

• 中村 友二

  富士通研究所 デバイス開発部

著作論文

• 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
• 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET

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