ピディン セルゲイ | 富士通(株)次世代lsi開発事業部
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概要
関連著者
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ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
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入野 清
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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森崎 祐輔
富士通研究所 デバイス開発部
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森 年史
富士通(株)
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橋本 浩一
富士通(株)
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中村 友二
富士通研究所
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加勢 正隆
富士通(株)ULSI開発部
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佐藤 成生
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
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杉井 寿博
富士通研究所
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森 年史
富士通株式会社
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加勢 正隆
富士通株式会社
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ピディン S.
富士通
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加瀬 正隆
富士通
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入野 清
富士通研究所
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ピディン セルゲイ
富士通研究所 デバイス開発部
-
杉井 寿博
富士通研究所 デバイス開発部
-
中村 友二
富士通研究所 デバイス開発部
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森崎 祐輔
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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中村 亮
富士通(株)次世代lsi開発事業部
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斎木 孝志
富士通
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ピデイン セルゲイ
富士通(株)次世代LSI開発事業部
-
斎木 孝志
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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佐藤 成生
富士通(株)次世代LSI開発事業部
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小柳 光正
東北大学工学研究科
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小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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島谷 民夫
東北大学工学部機械知能工学科
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青山 敬幸
株式会社富士通研究所
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ピディン セルゲイ
東北大学工学部機械知能工学科知能システム設計学
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島谷 民夫
東北大学大学院 工学研究科 機械知能工学専攻
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杉田 義博
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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Pidin Sergey
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
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ピディン セルゲイ
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
杉田 義博
株式会社富士通研究所
著作論文
- 低待機時消費電力、90-nm、HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
- 低待機時消費電力、90-nm、Hf02ゲート絶縁膜 MOSFET
- イントリンシックチャネルを持つ0.01μm SOI-MOSFET
- HfO_2ゲート絶縁膜特性の前処理依存性
- 低待機時消費電力,90-nm,HfO2ゲート絶縁膜MOSFET
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))