中村 亮 | 富士通(株)次世代lsi開発事業部

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概要

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著作論文

• 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 高応力を有する窒化膜使用によるMOSFETの駆動能力向上(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))

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