低待機時消費電力,90-nm,HfO2ゲート絶縁膜MOSFET

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概要

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• 電子情報通信学会の論文
• 2002-08-22

著者

• ピディン セルゲイ

  富士通(株)次世代lsi開発事業部

• 森崎 祐輔

  富士通研究所 デバイス開発部

• 入野 清

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

• 森崎 祐輔

  株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部

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