イントリンシックチャネルを持つ0.01μm SOI-MOSFET
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概要
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チャネル長0.01μmという超極微細な素子では、チャネル領域における不純物濃度は5.0×10^<18>cm^<-3>以上の高濃度にしても、不純物原子の個数としては、数個程度しか存在しない。そのため、素子の特性は、不純物原子の統計的揺らぎにより、ウェーハ内はもちろんのことチップ内でさえも素子毎に大きく変動する。今回、われわれはチャネル領域の孤立した不純物原子が素子特性にどのように影響を与えるかをモンテカルロシミュレーションにより評価したので報告する。また、不純物原子の統計的揺らぎと短チャネル効果の影響を抑制するために、チャネル領域への不純物原子の打ち込みを行わない新しい0.01μm SOIMOSFETを提案する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-15
著者
-
小柳 光正
東北大学工学研究科
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
島谷 民夫
東北大学工学部機械知能工学科
-
ピディン S.
富士通株式会社 次世代LSI開発事業部
-
ピディン セルゲイ
富士通(株)次世代lsi開発事業部
-
ピディン セルゲイ
東北大学工学部機械知能工学科知能システム設計学
-
島谷 民夫
東北大学大学院 工学研究科 機械知能工学専攻
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