新しい移動度モデルに基づく多結晶シリコンTFTの2次元解析
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概要
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多結晶シリコン薄膜トランジスタ(以下,ポリシリコンTFTと記す)特性予測,動作解析に適した新しいデバイスシミュレータを開発した.このシミュレータでは,粒界の影響をキャリヤ移動度モデルに組み込み,電界やキャリヤの2次元的な分布を計算する.本シミュレータによりTFT特性の結晶粒径や粒界トラップ密度依存性を定量的に評価することが可能となった.また,シミュレーションにより求めた電流-電圧特性は,オン領域からサブスレショルド領域にわたる広い範囲で,実測値と良い一致をみた.更にキャリヤ生成モデルと組み合わせることにより,キンク効果やアバランシェ降伏などの高電界現像まで詳細に解析できることがわかった.本シミュレータを用いて,ポリシリコンTFTに特有の短チャネル効果のメカニズムを解析し,ドレーン近傍でのアバランシェ現像により生成されたキャリヤがポリシリコン薄膜中に蓄積することが,この効果の原因であることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-25
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
山田 想
富士ゼロックス(株)技術開発センター
-
小柳 光正
広島大学集積化センター
-
加藤 典司
富士ゼロックス株式会社
-
山田 想
富士ゼロックス株式会社電子技術研究所
-
加藤 典司
富士ゼロックス株式会社電子技術研究所
-
加藤 典司
富士ゼロックス(株)研究技術開発本部
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