極微細半導体素子の特性解析のためのモンテカルロ専用並列計算機の開発及び性能評価
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概要
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ゲート長0.1μm以下の極微細半導体素子において, モンテカルロ法による半導体素子シミュレーションは, ホットキャリア効果等の物理現象を解析するのに有効である. しかしながら, モンテカルロ法による半導体素子シミュレーションは, 必要とする物理量を精度良く計算するために, 追跡する電子や正孔の数を増やしたり, 追跡時間を増やしたりする必要があり, 計算時間が膨大になるという欠点を持っている. 今回, その問題点を克服するために, モンテカルロ法による半導体素子シミュレーション用に最適化した専用並列計算機を設計した. 又, 実際に専用並列計算機を試作し, その計算機上で半導体素子シミュレーションを実行させることにより, 専用並列計算システム全体が正常に動作することを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-26
著者
-
小柳 光正
東北大学工学研究科
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
島谷 民夫
東北大学工学部機械知能工学科
-
栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻
-
平野 圭一
東北大学大学院 工学研究科 機械知能工学専攻
-
島谷 民夫
東北大学大学院 工学研究科 機械知能工学専攻
-
平野 圭一
東北大学工学部機械知能工学科知能システム設計学
-
栗野 浩之
東北大学工学部機械知能工学科知能システム設計学
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