金属ナノドットを有する不揮発性メモリの基本特性(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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SAND(Self-Assembled Nanodot Deposition)法を用いて、絶縁膜中に高密度の金属ナノドットが埋め込まれた金属ナノドット膜を形成した。金属としてタングステン、絶縁膜としてシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を用いた。TEMやXPSの物性分析によって、金属ナノドットの熱安定性と化学組成を評価し、シリコン窒化膜中ではタングステンナノドット(W-ND)の酸化が抑制されていることを明らかにした。さらに、W-ND膜を用いたMOSキャパシタを試作し、ナノドットへの電子注入・放出、電荷保持特性を評価した。W-NDをシリコン酸化膜中に埋め込んだMOSキャパシタの短い電荷保持時間に対して、W-NDをシリコン窒化膜に埋め込んだMOSキャパシタでは約10年の電荷保持が可能である。前者ではW-NDが酸化されることにより、捕獲される電子のエネルギー状態が変わり、電荷保持時間が短くなっていると考えられる。金属ナノドット不揮発性メモリの実現には、金属ナノドットが酸化されない絶縁膜を採用することが重要である。
- 2008-06-02
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
小柳 光正
東北大学工学部機械知能工学科
-
小柳 光正
東北大院工
-
西嶋 雅彦
東北大学ナノテク融合技術支援センター
-
田中 徹
東北大学医工学研究科
-
田中 徹
東北大学大学院工学研究科
-
小柳 光正
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
福島 誉史
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
田中 徹
東北大学大学院工学研究科:東北大学大学院医工学研究科
-
小柳 光正
東北大学未来科学技術研究センター
-
福島 誉史
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻
-
裴 艶麗
東北大学国際高等研究教育機構国際高等融合領域研究所
-
Kobayashi M
Department Of Bioengineering And Robotics Tohoku University
-
福島 誉史
東北大学工学研究科
-
田中 徹
東北大学大学院医工学研究科
-
Koyanagi Mitsumasa
Cir Tohoku University
-
福島 誉史
東北大学未来科学技術研究センター
-
Koyanagi M
Core Research For Evolutional Science And Technology (crest) Japan Science And Technology Agency:dep
-
Koyanagi Mitumasa
Dept Biology & Geosciences Graduate School Of Science Osaka City University
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科
-
福島 誉史
東北大学大学院工学研究科
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