BF^+_2 Ion Implantation into Very-Low-Temperature Si Wafer
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1991-12-30
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
HIROSE Masataka
Department of Electrical Engineering, Hiroshima University
-
Miyazaki S
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Miyazaki Seiichi
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Miyazaki Seiichi
Dept. Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Koyanagi Mitsumasa
Research Center for Integrated Systems, Hiroshima University
-
TAKAKURA Masaru
Department of Electrical Engineering, Hiroshima University
-
KINOSHITA Tsuyoshi
Department of Electrical Engineering, Hiroshima University
-
URANISHI Tadashi
Department of Electrical Engineering, Hiroshima University
-
Tamura K
Japan Atomic Energy Res. Inst. Ibaraki Jpn
-
Kinoshita Takayuki
The Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo:(present Sddress)fujisawa Development
-
Miyazaki Seiichi
Department Of Electrical Engineering Graduate School Of Advanced Sciences And Matter Hiroshima Unive
-
Koyanagi Mitsumasa
Research Center For Integrated Systems Hiroshima University
-
Hirose Masataka
Advanced Semiconductor Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technol
-
Hirose M
Materials Research Center Tdk Corporation
-
Takakura M
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Takakura Masaru
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Hirose Masataka
Department Of Electrical Engineering Graduate School Of Advanced Sciences Of Matter Hiroshima Univer
-
Kinoshita T
Kobe Steel Ltd. Hyogo Jpn
-
Uranishi Tadashi
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Hirose Masataka
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Miyazaki Seiichi
Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan
-
KINOSHITA TSUYOSHI
Department of Chemical Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
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