素子の微細化極限 : サブ0.1μmから0.01μmへ向けて
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概要
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素子寸法を縮小することが, LSIにおける素子性能の向上と集積度の増大には最も有効な手段である。研究レベルでは, 素子寸法は既に0.1μm以下にまで縮小され, これまでに多くのサブ0.1μm素子の試作例が報告されている。既に, ゲート長0.04μmのMOSFETも試作されており, 良好な特性が得られている。このように, 素子寸法を限りなく縮小して行こうとする努力は, 日々続けられており, このまま行くと0.01μmレベルの素子の実現も不可能ではなくなる。0.01μm素子を実現する際の最大の問題点として考えられることは, 短チャネル効果の増大と不純物濃度の統計的揺らぎによる素子特性のバラつきである。今回, われわれは, モンテカルロ法とハイドロダイナミック法に基づいたデバイスシミュレーション結果を基に, これらの問題点に注目しながらチャネル長0.01μmまでの縮小の可能性について検討したので報告する。本報告では最後に, 良好な特性を持つ0.01μm素子の実現のための構造についての提案も行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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