絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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次世代情報機器の実現には,不揮発性メモリの高機能化が不可欠である.磁性金属ナノドットをフローティングゲートに用い,磁性体コントロールゲートとの間のトンネル電流を利用すれば,電荷保持特性の飛躍的な向上が期待できる.この新構造デバイスの創出を目的とし,本研究では絶縁膜上におけるCoドットの高密度ナノ形成を検討した.特に絶縁膜上におけるCo原子の表面移動に着目し,Coドットの形状変化を議論した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
小柳 光正
東北大学工学研究科
-
小柳 光正
東北大学 工学研究科 機械知能工学専攻
-
上田 公二
九州大学 大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学 大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学 大学院システム情報科学
-
宮尾 正信
九州大学 大学院システム情報科学
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報研究院
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
上田 公二
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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