触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
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概要
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システムインディスプレイの実現には,ガラス上で高いキャリア移動度を有する半導体薄膜の形成が必要である.そこで本論文では,触媒金属(Ni)を用いた非晶質Si_<1-x>Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温(≦550℃)結晶化を検討した.その結果,成長形態はGe濃度により顕著に変化し,均一成長と樹枝状成長が発現した.また,高電界下(≧2000V/cm)で成長を誘起することにより,結晶成長の方向がほぼ完全に電界方向に整列した.これらの成果はGe濃度及び印加電界の制御により,ガラス上におけるSiGe結晶成長を高度に制御出来る可能性を示すものである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-10
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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