絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
絶縁膜上におけるSi添加Ge薄膜[Ge(Si)薄膜]の溶融成長を検討した.SiGe系相図の固相線と液相線で挟まれた領域の温度で急速熱処理を行うと,大粒径(15〜30μm)を有するSiGe結晶粒が成長した.結晶粒には,粒の中心付近でピーク値を有するSi濃度分布が形成されていることが明らかになった.Si濃度のピーク値は,熱処理温度における固相線のSi濃度に一致した.以上の現象は,熱処理時のSi偏析によるSiリッチ結晶核の形成と,冷却過程におけるSi偏析を伴う横方向成長に起因すると考えられる.
- 2012-04-20
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学府
-
加藤 立奨
九州大学大学院システム情報科学府
-
横山 裕之
九州大学大学院システム情報科学府
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学府
-
黒澤 昌志
九州大学
-
黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学府
関連論文
- Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting (有機エレクトロニクス)
- Fe_3Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (有機エレクトロニクス)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム (シリコン材料・デバイス)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上における非晶質SiGeのインデント誘起固相成長
- a-siGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- SiGe/SOI構造の酸化現象とその解析(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(研究会推薦論文,半導体材料・デバイス)
- ガラス上に於ける多結晶SiGeの低温固相成長
- スピントロニクス用強磁性シリサイド(Fe_3Si)/SiGeの低温形成
- Ni触媒誘起固相成長法を用いた次世代TFT用多結晶Si_Ge_x(0≦x≦1)薄膜の低温形成
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による多結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融法による単結晶GOI(Ge on Insulator)形成のシード基板面方位・成長方向依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリサイド半導体薄膜の結晶成長と特性(2)Ge導入によるβ-FeSi2のバンドギャップ変調 (特集 シリサイド半導体の最新動向)
- 絶縁膜上における磁性金属ナノドットの形成(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Ge添加によるβ-FeSi_2の格子歪み制御(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の高品質形成と歪み制御 : Si系OEICの実現に向けて(有機EL, TFT,及び一般)
- シリサイド半導体の格子歪み制御 : バンド変調による波長多重化を目指して
- 触媒金属を用いた非晶質SiGe薄膜/ガラスの低温固相成長(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- シリコンゲルマニウム膜のレーザ結晶化(半導体Si及び関連材料・評価)
- 絶縁膜上におけるSiGe結晶成長とデバイス応用(IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代デイスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代ディスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
- 触媒金属誘起成長法によるSi_1-XGe_X/SiO_2の低温固相成長
- 強磁性シリサイド/半導体積層構造の低温ヘテロエピタキシャル成長--Si系スピントロニクスの創出を目指して
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 次世代ULSI用歪シリコンウェーハの開発(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ECRプラズマ支援Si酸化とイオン照射効果
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 分子ビームエピタキシャル成長法によるFe_3Si/Siの形成(New Materials and Processes, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2の低温固相成長
- ボンド変調によるa-Si/SiO_2 の低温固相成長
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成:電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Ge-Channel Thin-Film Transistor with Schottky Source/Drain Fabricated by Low-Temperature Processing
- 極浅接合用多原子クラスターイオン注入技術の検討
- MOS形トンネル電子エミッタ作製のためのCoSi_2ゲート電極形成
- イオン照射による酸化膜上のCoSi_2形成
- a-SiGe薄膜の低温結晶化機構の電子顕微鏡的研究(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 水素照射型酸化濃縮法による歪緩和SiGe仮想基板の極薄化(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
- インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 金属触媒誘起固相成長法による多結晶Ge/絶縁膜の低温形成 : 電界印加効果、触媒種効果(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI(Ge on Insulator)の形成 : 人工単結晶への道 (ナノテクノロジー新時代における独創的モノ作りと協調的進化)
- 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- 溶融法による横方向組成傾斜型Ge系ヘテロ構造の形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化