インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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インプリント誘起Si(111)マイクロ結晶(〜1μmφ)を結晶成長シードとしたGeの溶融エピタキシャル成長法を考案し、局所領域におけるG01薄膜の方位制御を検討した。その結果、大粒径(〜10μmφ)を有する単結晶Ge薄膜を実現した。Ge/Sio_2界面は平滑で、成長領域は無欠陥であることが断面TEM測定より明らかとなった。また、顕微ラマン分光測定の結果、キャリヤ移動度向上に益となる伸張歪(〜0.2%)の導入を観測した。無欠陥歪Ge薄膜の創製であり、GeデバイスをSi集積回路に融合するための基盤技術として期待される成果である。
- 2010-04-16
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
田中 貴規
九州大学システム情報科学府
-
坂根 尭
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
田中 貴規
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
-
都甲 薫
九州大学大学院 システム情報科学研究院
-
坂根 尭
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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