絶縁膜上におけるSiGe結晶成長とデバイス応用(<小特集>IV族系半導体結晶・混晶の新たなる展開)
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概要
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次世代デバイス(システムインデイスプレー等)への応用を目的として絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温結晶成長を検討した.触媒金属誘起固相成長法を非晶質SiGeに適用し,低温プロセス(≦550℃)で大面積(〜18μm)多結晶薄膜を実現した.金属フリーの低温成長も検討し,固相成長にイオン線照射を併用する事で結晶成長温度を500℃迄に低下した.非晶質Si薄膜の局所領域にGe原子をドーピングする事で結晶方位を制御する可能性も発現し始めている.今後,高品質SiGe多結晶/ガラスの実現を目指して研究を進展する.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-04-30
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
角田 功
九州大学大学院システム情報科学
-
長友 圭
九州大学大学院システム情報科学
-
角田 功
九大 大学院
-
Kenjo A
Kyushu Univ.
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