絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温形成と次世代デイスプレー(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
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概要
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次世代デバイス(システムインデイスプレー等)への応用を目的として絶縁膜上におけるSiGe薄膜の低温固相成長法を検討した。一般に非晶質Si薄膜の固相成長では、核発生に大きなエネルギー(〜3.7eV)を必要とする事から高温熱処理(〜700℃)が必要である。しかし、SiGe薄膜の固相成長にイオン線照射を併用すれば成長温度が500℃迄に低下する事が明らかになると共にGe局所ドーピングによる結晶方位制御の可能性を示唆する結果も得られた。更に触媒金属誘起固相成長を用いれば大面積(〜10μm)SiGe多結晶の低温形成も可能である。今後、SiGe擬似単結晶/ガラスの実現を目指して研究を進展する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-07
著者
-
宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
-
佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
-
菅野 裕士
九州大学大学院システム情報科学
-
権丈 淳
九州大学大学院システム情報科学
-
角田 功
九州大学大学院システム情報科学
-
長友 圭
九州大学大学院システム情報科学
-
角田 功
九大 大学院
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