黒澤 昌志 | 九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
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概要
関連著者
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学
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佐道 泰造
Kyushu Univ. Fukuoka Jpn
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学:日本学術振興会
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黒澤 昌志
九州大学
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学
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川畑 直之
九州大学大学院システム情報科学
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黒澤 昌志
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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佐道 泰造
九州大学
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加藤 立奨
九州大学大学院システム情報科学府
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横山 裕之
九州大学大学院システム情報科学府
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宮尾 正信
九州大学
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朴 鍾〓
九州大学
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鈴木 恒晴
九州大学
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佐道 泰造
九州大学 大学院システム情報科学
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宮尾 正信
九州大学 大学院システム情報科学
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都甲 薫
九州大学大学院システム情報科学研究院
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都甲 薫
九州大学 大学院システム情報科学研究院
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佐道 泰造
九州大学大学院システム情報科学府
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宮尾 正信
九州大学大学院システム情報科学府
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黒澤 昌志
九州大学大学院システム情報科学府
著作論文
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- SiGeミキシング誘起溶融成長によるGOI (Ge on Insulator) の形成 : 人工単結晶への道
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 : Si偏析効果による大粒径化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 界面酸化膜挿入型Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)/絶縁膜の低温成長 : 界面酸化膜厚依存性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)