三次元光・電子融合集積化技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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概要

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三次元光・電子融合集積化技術を提案した。三次元光・電子融合システムを実現する為、セルフアセンブリによるチップ積層、乗越え配線およびチップ間の光接続を用いたLSI、MEMSや光デバイスを統合する技術を開発した。三次元光・電子融合集積化技術を用いて、複数のLSI、MEMSや光デバイスにより構成される三次元光・電子融合マルチチップモジュールを作製した。デジタル振幅変調LSI、LCフィルタ、MEMS圧カセンサチップが搭載された電気通信用インターポーザとVCSELやフォトダイオードが埋め込まれた光通信用インターポーザの接合によって、三次元光・電子融合マルチチップモジュールが製作された。光および電子デバイスは各々のTSVを介して通信が行われる。光デバイス間は光通信用インターポーザに作製された導波路を用いて接続される。三次元光・電子融合マルチチップモジュールに搭載されたLSL、MEMSおよび光デバイスの機能動作に初めて成功した。
2010-01-22

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