ED2000-132 / SDM2000-114 / ICD2000-68 原子層吸着拡散法による極浅接合の形成とサブ0.1μm MOSトランジスタの試作
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概要
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サブ0.1μm MOSFETのSDE(Source Drain Extension)形成のための原子層吸着拡散法とそれを用いた50nm MOSFETの試作について報告する。本研究で提案している原子層吸着拡散法は、超高真空CVD装置を用いてドーピング不純物をシリコン表面に1原子層のみ吸着させた後、RTA(Rapid Thermal Annealing)やLA(Laser Annealing)によって熱処理を行い浅い接合を形成する。このような方法を用いて砒素やホウ素の不純物拡散を行うことにより、横方向拡散を抑制し、かつ制御性良くシート抵抗の低い浅い接合を形成することができる。この原子層吸着拡散法を用いてサブ0.1μm MOSFETを試作したところ、良好な特性を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
朴 起台
東北大学大学院工学研究料機械知能工学専攻
-
栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻
-
栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻
-
〓 志哲
東北大学大学院工学研究科
-
高 光旭
東北大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科
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