MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)
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概要
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現代の情報技術は半導体による集積回路とメモリ、磁性体による磁気ストレージに支えられて発展してきた。そのような半導体メモリの代表であるDRAMやFlash Memoryは微細化の限界が見え始め、これに代わり新しい原理にもとづく各種のメモリの提案、研究が盛んに行われている。なかでも高速、高集積、低電力、かつ不揮発性を兼ね備えた汎用メモリを目指したMRAMは多くの注目を集めている。本稿ではこのMRAMの技術についての展望と1G Bit級MRAMを実現するために東北大学で進められている文部科学省のITプログラム「高機能・超低消費電力メモリの開発」における研究の結果を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-10
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所
-
栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
-
栗野 浩之
東北大学大学院工学研究科バイオロボティクス専攻
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科
-
大野 英男
東北大学電気通信研究所東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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